Idea-大尺寸基片沉積薄膜的研究與實(shí)現(xiàn)
發(fā)布時(shí)間：2020-05-19
問題來源：通過總結(jié)官網(wǎng)、微信后臺(tái)留言及展會(huì)交流中的客戶反饋，發(fā)現(xiàn)在大尺寸基片上鍍膜及所鍍膜層厚度的均勻性是研究者所關(guān)注的熱點(diǎn)。
基片膜厚均勻性是衡量薄膜質(zhì)量和鍍膜設(shè)備的一項(xiàng)重要因素?；谀ず窬鶆蛐缘闹匾饬x，科晶應(yīng)用技術(shù)實(shí)驗(yàn)室利用磁控濺射的方法從“如何利用小平面靶材在大尺寸基片上獲得良好均勻性的薄膜”開展了系列實(shí)驗(yàn)。
實(shí)驗(yàn)結(jié)果如下：
圖組一
鍍膜前 | 鍍膜過程 | 鍍膜完成 | 表面形貌 |
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為更直觀的檢測(cè)四英寸基片膜厚均勻性，選取基片直徑處的樣品進(jìn)行斷面形貌表征析，如下圖。實(shí)驗(yàn)發(fā)現(xiàn)：薄膜厚度約為3.3μm，且不同位置的膜厚誤差約為0.2μm，表明基片上膜厚較為均勻。利用小平面靶材，結(jié)合科晶VTC-3RF磁控濺射設(shè)備成功在大尺寸基片上獲得均勻性較好的薄膜。
圖組二
樣品選取
編號(hào) | 薄膜斷面形貌 |
1 |
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5 |
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6 |
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特別提示：
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