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產(chǎn)品分類

A-Z晶體及材料加熱爐系列樣品處理設(shè)備電池制備設(shè)備分析檢測設(shè)備其他實驗室設(shè)備技術(shù)支持/服務(wù)培訓(xùn)

加熱爐設(shè)備
晶體及材料
破碎/球磨設(shè)備
壓片設(shè)備
輥壓設(shè)備
切割設(shè)備
磨拋設(shè)備
清洗設(shè)備
電池研發(fā)設(shè)備
薄膜制備
配件
其它實驗室設(shè)備

熱處理設(shè)備: 管式爐箱式爐箱管混合

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加熱方式: 電阻加熱紅外燈管加熱感應(yīng)加熱微波加熱

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加熱形式: 常規(guī)爐立式箱管混合式回轉(zhuǎn)爐

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加熱溫度: 300-1200 1250-1500 1600-2000

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加熱溫區(qū): 單溫區(qū) 雙溫區(qū) 三溫區(qū) 多溫區(qū) 感應(yīng)加熱專用

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管徑: ф?25 ф?50 ф?60 ф?80 ф?100 ф?120及以上

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·晶體生長基本方法--焰熔法

·晶體生長基本方法--提拉法

·晶體生長基本方法--泡生法

·晶體生長基本方法--布里奇曼法

·晶體生長基本方法--水平結(jié)晶法

·晶體生長基本方法--液體封裝提拉法-LEC

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