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ZnSe晶體基片
產(chǎn)品概述:
硒化鋅(ZnSe)晶體基片廣泛應(yīng)用于CO2激光器的紅外光學(xué);透鏡;窗口;分束器;外延基片;蒸發(fā)源的晶體片等領(lǐng)域.
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技術(shù)參數(shù)產(chǎn)品視頻實(shí)驗(yàn)案例警示/應(yīng)用提示配件詳情
產(chǎn)品名稱

ZnSe 晶體基片


技術(shù)參數(shù)

晶體結(jié)構(gòu):                      

立方晶系                            

晶格常數(shù):

a=5.6685 ?  

介電常數(shù):8.976

密度:

5.264 g/cm3

熔點(diǎn):

1525℃

熱容:

0.339 J/g·k

熱膨脹系數(shù)(10-6/K):

7.1

折射率:

2.5

透過波長:

450~21500nm

熱導(dǎo)率:

16W/(m.k)  at300K

生長方式:

PVT法


產(chǎn)品規(guī)格

常規(guī)晶向:                

<100>、<110>、<111>                        

常規(guī)尺寸:

5x5x0.5mm,10x10x0.5mm,10x5x0.5mm

拋光情況:

單拋 雙拋 細(xì)磨

注:尺寸及方向可按照客戶要求定做。



晶體缺陷

人工生長單晶都可能存在晶體內(nèi)部缺陷。


標(biāo)準(zhǔn)包裝

1000級超凈室,100級超凈袋或單片盒封裝



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