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A-Z晶體及材料加熱爐系列樣品處理設(shè)備電池制備設(shè)備分析檢測(cè)設(shè)備其他實(shí)驗(yàn)室設(shè)備技術(shù)支持/服務(wù)培訓(xùn)

加熱爐設(shè)備
晶體及材料
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輥壓設(shè)備
切割設(shè)備
磨拋設(shè)備
清洗設(shè)備
電池研發(fā)設(shè)備
薄膜制備
配件
其它實(shí)驗(yàn)室設(shè)備

熱處理設(shè)備: 管式爐箱式爐箱管混合

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加熱方式: 電阻加熱紅外燈管加熱感應(yīng)加熱微波加熱

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加熱形式: 常規(guī)爐立式箱管混合式回轉(zhuǎn)爐

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加熱溫度: 300-1200 1250-1500 1600-2000

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加熱溫區(qū): 單溫區(qū) 雙溫區(qū) 三溫區(qū) 多溫區(qū) 感應(yīng)加熱專用

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管徑: ф?25 ф?50 ф?60 ф?80 ф?100 ф?120及以上

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四氧化三鈷/聚苯胺(Co3O4/PANI)核殼納米線陣列

產(chǎn)品概述：

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產(chǎn)品信息(四氧化三鈷/聚苯胺核殼納米線陣列，Co3O4/PANI)

四氧化三鈷/聚苯胺(Co3O4/PANI)核殼納米線陣列其支撐核為介孔四氧化三鈷納米線，外殼為聚苯胺薄層。

該核殼納米陣列經(jīng)水熱法和電沉積結(jié)合制備而成，可以在多種導(dǎo)電（如碳布、泡沫鎳、鎳片、不銹鋼片等）上生長(zhǎng)。

內(nèi)核的四氧化三鈷納米線平均直徑80-100nm，納米線由相互交聯(lián)的粒徑為4-5nm的納米顆粒構(gòu)成，且納米顆粒間的空隙約為3-5nm。

外殼聚苯胺的厚度約為20nm，經(jīng)電沉積生長(zhǎng)在四氧化三鈷納米線核上構(gòu)成異質(zhì)結(jié)構(gòu)的核殼納米陣列。核殼納米線的直徑100-150nm, 陣列整體長(zhǎng)度約為5微米。

樣品宏觀尺寸不超過(guò)寬度3厘米´長(zhǎng)度3厘米。

該樣品的宏觀色澤呈墨綠色。

產(chǎn)品信息（氧化亞鈷/聚苯胺核殼納米線陣列，CoO/PANI):

氧化亞鈷/聚苯胺核殼納米線陣列和上述四氧化三鈷/聚苯胺核殼納米線陣列的制備方法和形貌尺寸均類似，唯一不用在于前期通過(guò)不同熱處理工藝生成氧化亞鈷納米線核心，然后再以此為基礎(chǔ)生長(zhǎng)聚苯胺交聯(lián)外殼。

代表性樣品的掃描電鏡和透射電鏡照片如下：

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