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硅鍺(Si-Ge)晶體基片
產(chǎn)品概述:
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技術(shù)參數(shù)產(chǎn)品視頻實(shí)驗(yàn)案例警示/應(yīng)用提示配件詳情
技術(shù)參數(shù)

單晶:

Si-Ge  ( wt 2%)

導(dǎo)電類型:

P type

電阻   

7-8  ohm-cm

拋光情況:

單面/雙面拋光

表面粗糙度

<5A


產(chǎn)品規(guī)格

常規(guī)晶向:<100>;常規(guī)尺寸:dia4″x0.5mm;

注:可按照客戶要求加工尺寸及方向。

標(biāo)準(zhǔn)包裝

1000級(jí)超凈室100級(jí)超凈袋

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