- 加熱爐設(shè)備
- 晶體及材料
- 破碎/球磨設(shè)備
- 壓片設(shè)備
- 輥壓設(shè)備
- 切割設(shè)備
- 磨拋設(shè)備
- 清洗設(shè)備
- 電池研發(fā)設(shè)備
- 薄膜制備
- 配件
- 其它實(shí)驗(yàn)室設(shè)備
碲化鎘(CdTe)晶體基片
- 產(chǎn)品概述:
- 碲化鎘(CdTe)晶體基片廣泛應(yīng)用于X射線檢測;紅外光學(xué);外延基片;蒸發(fā)源的晶體片等相關(guān)領(lǐng)域。
免責(zé)聲明:
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技術(shù)參數(shù)產(chǎn)品視頻實(shí)驗(yàn)案例警示/應(yīng)用提示配件詳情
技術(shù)參數(shù)
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晶體結(jié)構(gòu); | 立方 F43m a = 6.483? | 熔點(diǎn)(℃): | 1047 | 密度(g/cm3): | 5.851 | 熱容(J /g.k): | 0.210 | 熱膨脹系數(shù)(10-6/K): | 5.0 | 熱導(dǎo)率( W /m.kat 300K ): | 6.3 | 透過波長 (μm): | 0.85 ~ 29.9 | 折射率: | 2.72 |
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產(chǎn)品規(guī)格
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常規(guī)晶向:<001>、<100>、<110>、<111>; 常規(guī)尺寸:2.5x2.5x1.0mm、5x5x1.0mm、10x10x1.0mm 或者厚度0.5mm; 常規(guī)摻雜類型:P型不摻雜;常規(guī)電阻率:1x10^6次方;1x10^4次方; 注:可按照客戶要求加工尺寸及方向。 |
標(biāo)準(zhǔn)包裝
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1000級超凈室100級超凈袋 |
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