- 加熱爐設(shè)備
- 晶體及材料
- 破碎/球磨設(shè)備
- 壓片設(shè)備
- 輥壓設(shè)備
- 切割設(shè)備
- 磨拋設(shè)備
- 清洗設(shè)備
- 電池研發(fā)設(shè)備
- 薄膜制備
- 配件
- 其它實(shí)驗(yàn)室設(shè)備
摻釹釔鋁石榴石(NdYAG)晶體基片
- 產(chǎn)品概述：
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技術(shù)參數(shù)產(chǎn)品視頻實(shí)驗(yàn)案例警示/應(yīng)用提示配件詳情
| 技術(shù)參數(shù)
|
晶體： | 結(jié)構(gòu)： | 熔點(diǎn)(℃)： | 密度(g/cm3)： | 莫氏硬度： | 熱膨脹系數(shù)
(×10-6/K)： | Nd:YVO4 | 四方
a=7.12?
c=6.29? | 1810 | 4.22 | 5 | 4.43 | Nd:YAG | 立方a=12.01? | 1970 | 4.56 | 8.5 |
| Cr:Al2O3 | 六方
a=4.758?
c=12.991? | 2040 | 3.98 | 9 | 7.5 | Ti:Al2O3 | 六方
a=4.758?
c=12.991? | 2040 | 3.98 | 9 | 7.5 | Cr:LiSAF | 三方
a=5.084?
c=10.21? | 760 | 3.45 |
| 25 | Cr:LiCAF | 三方
a=5.007?
c=9.641? | 810 | 2.98 |
| 3.6 |
|
| 產(chǎn)品規(guī)格
|
生長(zhǎng)方法：CZ法； 常規(guī)晶向：<001>、<100>、<11-20>； 常規(guī)尺寸:5x7x0.7mm； 拋光情況：細(xì)磨、單拋、雙拋; 注：可按照客戶要求加工尺寸和晶向 |
| 標(biāo)準(zhǔn)包裝
|
1000級(jí)超凈室100級(jí)超凈袋包裝 |
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