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硅酸鉍(Bi12SiO20)晶體基片
- 產(chǎn)品概述：
- 硅酸鉍(Bi12SiO20)晶體基片簡(jiǎn)稱(BSO)是聲表面波器件、體聲波器件、全息記憶以及電光器件的極好材料。
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技術(shù)參數(shù)產(chǎn)品視頻實(shí)驗(yàn)案例警示/應(yīng)用提示配件詳情
| 技術(shù)參數(shù)
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晶向： | <100>,<110> | 晶體結(jié)構(gòu)： | 立方 | 晶格常數(shù)： | a=10.146? | 生長(zhǎng)方法： | 提拉法 | 熔點(diǎn)： | 930℃ | 密度： | 9.2g/cm3 | 莫氏硬度： | 4.5 Mohs | 介電常數(shù)： | εS11/ε0 42.7、εT11/ε0 47.5 | 彈性勁度系數(shù)( x1011N/m2)： | CE11 1.33、CE44 0.25 | 壓電應(yīng)變常數(shù) (C/m2)： | e14 1.01 | 透過(guò)范圍 (nm)： | 470~7500 | 電光系數(shù) (x10-12m/V)： | r41 5 | 折射率： | 2.45 @ 632.8nm | 折射率梯度 (x10-5/cm)： | ≤5 @ 632.8nm | 旋光性 (mm-1)： | 左邊20° @632.8nm | 透光性 (%)： | 69 @632.8nm |
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| 產(chǎn)品規(guī)格
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常規(guī)晶向：<100>、<001>； 常規(guī)尺寸:5x5x0.5mm、10x10x0.5mm； 拋光情況：細(xì)磨、雙拋; 注：可按照客戶要求加工尺寸和晶向 |
| 標(biāo)準(zhǔn)包裝
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1000級(jí)超凈室100級(jí)超凈袋包裝 |
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